买卖IC网 >> 产品目录 >> HN7G08FE-A(TE85L,F 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

HN7G08FE-A(TE85L,F

库存数量：11988
制造商：Toshiba
描述：两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA
制造商 Toshiba
配置 Dual
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO - 15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO - 5 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT 130 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 300
最大工作温度
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 ES-6
相关资料
属性
链接
代理商 HN7G08FE-A(TE85L,F
HN7G09FE
HN7G09FE(TE85L,F)
HN9C01FE
HN9C01FT
HN9C01FT/WX
供应商
公司名
电话
深圳市华思半导体技术有限公司 0755-83299983 陈先生
得捷电子（上海）有限公司 4009201199 digikey
深圳市司马科技有限公司 13533399478 陈义
深圳市逸睿信息科技有限公司 0755-82899329 微信同号18902486285
  • HN7G08FE-A(TE85L,F 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.1242 0.1242
    10 0.0966 0.966
    100 0.0828 8.280001
    250 0.076 19
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